发明公开
- 专利标题: 可变半径的双磁控管
- 专利标题(英): Variable radius dual magnetron
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申请号: CN201480006631.2申请日: 2014-01-23
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公开(公告)号: CN105051246A公开(公告)日: 2015-11-11
- 发明人: 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 清·X·源 , 唐先明
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权: 13/777,010 2013.02.26 US
- 国际申请: PCT/US2014/012733 2014.01.23
- 国际公布: WO2014/133694 EN 2014.09.04
- 进入国家日期: 2015-07-29
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
双磁控管,特别有用于RF等离子体溅射,包括:径向静止开环磁控管(82),包括相对磁极(90、92)且绕中央轴(14)旋转以扫描溅射目标(20)的外部区域;和径向可移动式开环磁控管(84),包括相对磁极(96、98)且与该静止磁控管一起旋转。在处理期间(图2),该可移动式磁控管以开口端邻接于该静止磁控管的开口端径向地放置于外部区域中,以形成单一开环磁控管。在清理期间(图3),该可移动式磁控管的部分径向地向内移动以扫描及清理目标未被该静止磁控管扫描的内部区域。该可移动式磁控管可装设于臂(114)上,该臂于旋转碟状平板(100)的周边处绕轴(118)转动,该静止磁控管装设于该碟状平板,使得该臂离心地根据旋转速率或方向在径向位置间移动。
公开/授权文献
- CN105051246B 使用于等离子体溅射室的双磁控管及等离子体溅射的方法 公开/授权日:2017-04-12
IPC分类: