发明公开
- 专利标题: 集成的二极管DAS探测器
- 专利标题(英): Integrated diode DAS detector
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申请号: CN201480019621.2申请日: 2014-04-04
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公开(公告)号: CN105051900A公开(公告)日: 2015-11-11
- 发明人: N.K.劳 , J.W.罗斯 , C.D.昂格尔 , A.伊赫列夫 , J.D.肖尔特
- 申请人: 通用电气公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 姜冰; 姜甜
- 优先权: 13/857624 2013.04.05 US
- 国际申请: PCT/US2014/032962 2014.04.04
- 国际公布: WO2014/165749 EN 2014.10.09
- 进入国家日期: 2015-09-30
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01T1/20
摘要:
改进的成像系统被公开。更确切地,本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件,所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列,及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件,这从而减少了制作成本,和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上,这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外,邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件,因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置,以用于最佳的图像质量。
公开/授权文献
- CN105051900B 集成的二极管DAS探测器 公开/授权日:2018-03-30
IPC分类: