本发明提供一种化学机械研磨方法，至少包括以下步骤：S1：提供待研磨晶片，包括介质层及形成于所述介质层中的沟槽，所述沟槽中填充有导电金属层；S2：采用第一研磨台板依次在第一压力、第二压力下进行研磨，其中，所述第一压力小于第二压力；然后采用高压冷水降温并去除研磨副产物；接着继续采用所述第一研磨台板在第一压力下进行研磨；S3：采用第二研磨台板在第一压力下进行研磨；S4：采用第三研磨台板进行研磨以去除沟槽外多余的扩散阻挡层并修复刮伤缺陷；S5：将研磨完毕的待研磨晶片放入清洗装置中进行清洗。本发明不仅可以减少化学机械研磨导致的刮伤缺陷，同时简化工艺步骤，实现一步法完成化学机械研磨，从而提高产能，降低成本。