发明公开
- 专利标题: 一种制备具有表面有序微结构的VO2纳米薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing VO2 nanometer film with surface orderly microstructure
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申请号: CN201510612003.5申请日: 2015-09-23
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公开(公告)号: CN105088199A公开(公告)日: 2015-11-25
- 发明人: 李垚 , 豆书亮 , 赵九蓬 , 王艺
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 侯静
- 主分类号: C23C20/08
- IPC分类号: C23C20/08
摘要:
一种制备具有表面有序微结构的VO2纳米薄膜的方法,它涉及一种制备表面有序微结构的VO2热致相变薄膜的方法。首先利用膜层转移法在石英基板上沉积一层SiO2二维光子晶体,随后利用溶胶-凝胶法在SiO2二维光子晶体缝隙中填充VO2,然后利用氢氟酸浸泡薄膜表面,除去SiO2,干燥后即可得到具有表面有序微结构的VO2热致相变薄膜。本发明制备的表面有序微结构的VO2热致相变薄膜。能有效的增强VO2薄膜的透光性能,的非常适合于推进VO2热致相变智能窗的应用。本发明工艺简单,成本低廉,能耗少,无污染,适合于工业化生产。
IPC分类: