- 专利标题: 一种用于多页存储阵列的损坏单元片内统计系统
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申请号: CN201510482451.8申请日: 2015-08-03
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公开(公告)号: CN105097049B公开(公告)日: 2017-11-10
- 发明人: 王小光
- 申请人: 西安紫光国芯半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
- 专利权人: 西安紫光国芯半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安紫光国芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 张倩
- 主分类号: G11C29/56
- IPC分类号: G11C29/56
摘要:
本发明涉及一种用于多页存储阵列的损坏单元片内统计系统,包括锁存模块、锁存使能模块、回写地址模块、页缓存器回写模块、错误计数模块、验证结果锁存模块以及错误数目统计区,锁存模块位于读数据通路上,用于接收验证模块发送的成功标志位,并在接收到锁存使能模块发送的锁存信号的情况下,且当前地址的成功标志位为错误时,产生并保持错误操作结果给页缓存器,同时产生实时更新的错误结果给错误计数模块;本发明解决了现有的存储器芯片测试方法耗时久,测试复杂的技术问题,本发明的片内统计系统直接省略了后续的逐页读操作,极大的简化了测试序列,节省了测试时间,降低了测试成本。
公开/授权文献
- CN105097049A 一种用于多页存储阵列的损坏单元片内统计系统 公开/授权日:2015-11-25