一种太阳能电池组，其具有第一半导体太阳能电池，其中所述第一半导体太阳能电池具有由第一材料构成的pn结，所述第一材料具有第一晶格常数，并且具有第二半导体太阳能电池，其中所述第二半导体电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数，并且所述太阳能电池组具有变质缓冲器，其中所述变质缓冲器包括第一下层和第二中层以及第三上层的序列，并且所述变质缓冲器包括InGaAs化合物或者AlInGaAs化合物或者InGaP化合物或者AlInGaP化合物，并且所述变质缓冲器构造在所述第一半导体太阳能电池和所述第二半导体太阳能电池之间，并且在所述变质缓冲器中晶格常数沿着所述变质缓冲器的厚度延伸变化，并且其中所述第二层具有比所述第一层和所述第三层更高的Al含量和/或所述第二层具有砷化物而所述第一层和所述第三层具有磷化物，并且所述第三层的晶格常数大于所述第二层的晶格常数而所述第二层的晶格常数大于所述第一层的晶格常数。