本发明提供一种重布线层制造方法以及MEMS器件制造方法，先对光刻胶未覆盖的Al等导电金属层进行干法刻蚀，使之降低一定厚度，然后在制程设定的Q-Time时间内，转为湿法刻蚀，将光刻胶未覆盖的导电金属层的剩余厚度去除，刻蚀能够很好地停止在刻蚀阻挡层表面，该湿法刻蚀过程消除了干法刻蚀后的重布线层侧壁的栅栏缺陷，不会造成顶层互连结构的过刻蚀消耗，同时由于湿法刻蚀的厚度较薄，所以能够使得湿法刻蚀后的重布线层的关键尺寸完全达到要求，并避免了大量刻蚀残留物的累积，保证了重布线层的质量，最终提高了器件性能。