发明授权
CN105140227B 氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门
失效 - 权利终止
- 专利标题： 氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门
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申请号： CN201510380064.3申请日： 2015-07-01
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公开(公告)号： CN105140227B公开(公告)日： 2017-12-05
- 发明人: 廖小平 , 褚晨蕾
- 申请人： 东南大学
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人： 东南大学
- 当前专利权人： 东南大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构： 南京瑞弘专利商标事务所
- 代理商 杨晓玲
- 主分类号： H01L29/84
- IPC分类号： H01L29/84 ; H01L21/336 ; B81B7/02
摘要：
本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的悬臂梁(4)，该悬臂梁(4)的一端固定在锚区(2)上，另一端横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到悬臂梁(4)上，悬臂梁(4)由Au材料制作的，在悬臂梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。
公开/授权文献
- CN105140227A 氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门 公开/授权日：2015-12-09
IPC分类:
