发明授权
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201480013563.2申请日： 2014-09-01
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公开(公告)号： CN105190866B公开(公告)日： 2018-02-09
- 发明人: 上西显宽 , 赤羽正志
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张鑫
- 优先权： 2013-181241 2013.09.02 JP
- 国际申请： PCT/JP2014/004481 2014.09.01
- 国际公布： WO2015/029456 JA 2015.03.05
- 进入国家日期： 2015-09-10
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H03K17/56 ; H03K19/0175
摘要：
本发明提供一种能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路的误动作的半导体装置。在成为半导体层的p型块状基板(101)和第1电位(GND电位)之间连接有二极管(128)，从成为第1半导体区域的n扩散区域(102)中形成的控制电路(136)通过第1电平下拉电路(139)及第1电平上拉电路(140)向成为第2半导体区域的n扩散区域(103)中形成的高侧栅极驱动电路(137)传输信号，从而能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路(137)的误动作。
公开/授权文献
- CN105190866A 半导体装置 公开/授权日：2015-12-23
IPC分类:
