Invention Grant
- Patent Title: 富勒烯衍生物和n型半导体材料
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Application No.: CN201480028347.5Application Date: 2014-05-16
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Publication No.: CN105210205BPublication Date: 2020-09-18
- Inventor: 永井隆文 , 足达健二 , 安苏芳雄 , 家裕隆 , 辛川诚
- Applicant: 大金工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 大金工业株式会社,国立大学法人大阪大学
- Current Assignee: 大金工业株式会社,国立大学法人大阪大学
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳; 王磊
- Priority: 2013-104475 2013.05.16 JP
- International Application: PCT/JP2014/063126 2014.05.16
- International Announcement: WO2014/185535 JA 2014.11.20
- Date entered country: 2015-11-16
- Main IPC: C07D209/58
- IPC: C07D209/58 ; H01L51/46 ; C08K3/04 ; C08L65/00

Abstract:
本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料,[式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100‑Dmax(%)式(1):
Public/Granted literature
- CN105210205A 富勒烯衍生物和n型半导体材料 Public/Granted day:2015-12-30
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