本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。