发明授权
- 专利标题: 碳涂层清洗方法及装置
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申请号: CN201480028664.7申请日: 2014-05-30
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公开(公告)号: CN105229197B公开(公告)日: 2017-05-24
- 发明人: 小林幸司 , 船津纯矢
- 申请人: 本田技研工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 本田技研工业株式会社
- 当前专利权人: 本田技研工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 丁香兰; 庞东成
- 优先权: 2013-116035 20130531 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/064467 2014.05.30
- 国际公布: WO2014/192929 JA 2014.12.04
- 进入国家日期: 2015-11-17
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44 ; C23C16/26 ; C23C16/515 ; H05H1/46
摘要:
本发明提供一种碳涂层清洗方法及等离子体CVD装置。等离子体CVD装置(1)具备:对工件(W)或模型工件(W’)两端密封的由绝缘体构成的第一密封部件(2a)或第二密封部件(2b);阳极(3);对工件(W)或模型工件(W’)的内部进行减压的减压单元(26);向工件(W)内部供应原料气的原料气供应单元(6);脉冲电源(27)和向模型工件(W’)内部供应氧气的氧气供应单元(8)。根据该碳涂层清洗方法及等离子体装置,能够清洗在等离子体CVD装置的各个部分上形成的碳涂层。
公开/授权文献
- CN105229197A 碳涂层清洗方法及装置 公开/授权日:2016-01-06
IPC分类: