发明授权
- 专利标题: 制造半导体器件的方法
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申请号: CN201510393638.0申请日: 2015-07-07
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公开(公告)号: CN105244290B公开(公告)日: 2019-06-11
- 发明人: 铃木昌克 , 斋藤浩儿 , 大武守
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 申发振
- 优先权: 2014-139269 2014.07.07 JP
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/544
摘要:
改进了在半导体器件内形成的编码的读取可靠性。根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括在多个器件区域DVP内形成密封体的步骤,在布线衬底的器件区域DVP外部形成编码(第一标识信息)MK3。另外,根据一个实施例的半导体器件的制造方法包括在形成密封体MR之后,读取编码MK3,并且将另一编码(第二标识信息)附加到密封体MR的步骤。另外,在形成密封体的步骤之前,在形成编码MK3的标记区域MKR和器件区域DVP之间形成坝状物部分DM。
公开/授权文献
- CN105244290A 制造半导体器件的方法 公开/授权日:2016-01-13
IPC分类: