发明授权
- 专利标题: 一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法
-
申请号: CN201510565938.2申请日: 2015-09-08
-
公开(公告)号: CN105261671B公开(公告)日: 2017-12-19
- 发明人: 张建明 , 刘前
- 申请人: 苏州华维纳纳米科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-107
- 专利权人: 苏州华维纳纳米科技有限公司
- 当前专利权人: 苏州华维纳纳米科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-107
- 代理机构: 苏州慧通知识产权代理事务所
- 代理商 丁秀华
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/0216
摘要:
本发明提供一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法,其中所使用的材料为聚苯乙烯\多晶硅复合薄膜。该方法包括以下步骤:步骤1):选取基底,对其进行清洗和干燥处理;步骤2):采用甩胶机对聚苯乙烯甲苯溶液进行均匀旋涂,干燥后获得纯净平整的聚苯乙烯薄膜;步骤3):在聚苯乙烯薄膜上继续采用物理气相沉积工艺镀制一层多晶硅薄膜;步骤4):使用激光在所制备的薄膜上进行照射刻写,使刻写部分的薄膜出现微凸起结构阵列。由该方法所获得的微凸起结构特征尺寸在100nm‑2um,对可见光减反射率达到30%。本发明具有工艺简单可控、产品尺寸形貌均一、成本低廉,修改设计灵活,与现有平面工艺兼容等优点,可广泛应用于各种减反表面器件。
公开/授权文献
- CN105261671A 一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法 公开/授权日:2016-01-20
IPC分类: