发明授权
- 专利标题: 晶片制造方法以及晶片制造装置
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申请号: CN201510282857.1申请日: 2015-05-28
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公开(公告)号: CN105269694B公开(公告)日: 2019-08-16
- 发明人: 久保雅裕 , 鹰巢良史 , 和田纪彦
- 申请人: 松下知识产权经营株式会社
- 申请人地址: 日本国大阪府
- 专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 刘婷
- 优先权: 2014-137825 2014.07.03 JP
- 主分类号: B28D5/04
- IPC分类号: B28D5/04
摘要:
本发明的目的在于提供一种能够减轻锯丝的挠曲的影响而制造高品质的晶片的晶片制造方法以及晶片制造装置。本发明所涉及的晶片制造方法的特征在于,在晶锭内通过激光形成多个凹坑,沿着所述多个凹坑通过锯丝切断所述晶锭而进行晶片化,另外,本发明所涉及的晶片制造装置的特征在于,是实施如下的晶片制造方法的装置,所述晶片制造方法在晶锭内通过激光形成多个凹坑,沿着所述多个凹坑通过锯丝切断所述晶锭而进行晶片化。
公开/授权文献
- CN105269694A 晶片制造方法以及晶片制造装置 公开/授权日:2016-01-27