- 专利标题: 一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法
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申请号: CN201510621636.2申请日: 2015-09-25
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公开(公告)号: CN105272192B公开(公告)日: 2017-10-31
- 发明人: 陈永虹 , 林志盛 , 宋运雄 , 黄祥贤 , 谢显斌 , 吴金剑 , 许金飘
- 申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 福建省泉州市高新技术产业园(江南园)紫华路4号
- 专利权人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省泉州市高新技术产业园(江南园)紫华路4号
- 代理机构: 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- 代理商 傅家强
- 优先权: 201510367433.5 2015.06.29 CN
- 主分类号: C04B35/22
- IPC分类号: C04B35/22
摘要:
一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法,该瓷料的原料组分为:100重量份的(xCaCO3‑ySiO2);0‑9重量份的Al2O3;0‑5重量份的CaTiO3;0‑5重量份的MgO;0‑0.3重量份的RE2O3,在(xCaCO3‑ySiO2)中CaCO3和SiO2的摩尔比为x:y,其中:x=0.8‑1.2,y=0.8‑1.6,原料组份中包括Al2O3、CaTiO3、MgO和RE2O3中的至少一种;RE为Y、Ce或者Nd;采用该种瓷料制成的电容器制作成本低,具有低介电常数,低的介电损耗、高温度稳定性,适合微波通信等高频率的应用。
公开/授权文献
- CN105272192A 一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法 公开/授权日:2016-01-27
IPC分类: