发明公开
- 专利标题: 用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method for tungsten-oxide-nanosheet-structured gas sensor working at room temperature
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申请号: CN201510718189.2申请日: 2015-10-29
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公开(公告)号: CN105301063A公开(公告)日: 2016-02-03
- 发明人: 胡明 , 王自帅 , 王毅斐 , 刘相承 , 袁琳
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 宋洁瑾
- 主分类号: G01N27/12
- IPC分类号: G01N27/12 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法,包括清洗陶瓷片基底,在陶瓷片基底上制备铂的叉指电极,制备溶剂热反应溶液,溶剂热法制备氧化钨纳米棒结构气敏传感器,清洗溶剂热反应后氧化铝基底,氧化钨纳米棒结构气敏传感器元件的热处理的步骤。本发明提供了一种可低成本制备氧化钨纳米片结构气敏传感器的方法。溶剂热法操作较为简单,所需控制的工艺条件少,且对环境无污染。提供了一种可室温探测极低浓度(可达0.1ppm)氮氧化物气体,具有高灵敏度、快速响应/恢复的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法,具有重要的实践和研究意义。