用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法
摘要:
本发明公开了一种用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法,包括清洗陶瓷片基底,在陶瓷片基底上制备铂的叉指电极,制备溶剂热反应溶液,溶剂热法制备氧化钨纳米棒结构气敏传感器,清洗溶剂热反应后氧化铝基底,氧化钨纳米棒结构气敏传感器元件的热处理的步骤。本发明提供了一种可低成本制备氧化钨纳米片结构气敏传感器的方法。溶剂热法操作较为简单,所需控制的工艺条件少,且对环境无污染。提供了一种可室温探测极低浓度(可达0.1ppm)氮氧化物气体,具有高灵敏度、快速响应/恢复的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法,具有重要的实践和研究意义。
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