本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术生长Ge量子点的方法，属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度小于或等于2.0×10‑4Pa时，首先采用射频溅射技术于较高温度条件下生长一定厚度的本征Si缓冲层，接着采用直流溅射技术于低温、低功率、低溅射气压等条件下生长一较薄Ge原子层，最后利用快速退火炉对Ge原子薄层进行快速退火处理获得Ge/Si量子点。该方法不但解决了大溅射速率下生长量子点可控性差、分布不均匀的不足，同时克服了低生长速率（MBE、CVD）技术中生长缓慢，制备高密度、小尺寸量子点时工序相对复杂的缺点,获得的量子点具有密度高、尺寸小、分布均匀、可控性好等优点，且设备简单、使用和维护成本低。因而该方法是一种简单高效、成点质量高、易于产业化推广的量子点制备方法。