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CN105304755B 电学脉冲调控增强半导体量子阱红外光探测器响应率的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 电学脉冲调控增强半导体量子阱红外光探测器响应率的方法
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Application No.: CN201510715266.9Application Date: 2015-10-29
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Publication No.: CN105304755BPublication Date: 2017-11-10
- Inventor: 安正华 , 徐洁
- Applicant: 复旦大学
- Applicant Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
- Assignee: 复旦大学
- Current Assignee: 复旦大学
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
- Agency: 上海正旦专利代理有限公司
- Agent 陆飞; 盛志范
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0352 ; H01L31/101
Abstract:
本发明属于光波探测技术领域,具体为一种电学调控增强半导体量子阱红外光探测器响应率的方法。所述探测器包含两层量子阱材料,其中一层较薄靠近表面的量子阱中有两个能级,为吸光区域,另一层较厚量子阱在下方,通过感应吸光区域电荷变化来进行光探测。两层量子阱夹层的能带结构通过掺杂不同浓度粒子的方式形成势能渐变层,由上层到下层势能缓变降低。该器件通过在重置光栅上施加脉冲来实现器件的重置。本发明通过在耦合光栅施加一种与重置脉冲相配合的脉冲波,来动态调控上层量子阱的能带变化,以此增强探测器的光响应率。
Public/Granted literature
- CN105304755A 电学脉冲调控增强半导体量子阱红外光探测器响应率的方法 Public/Granted day:2016-02-03
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