发明授权
- 专利标题: 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
-
申请号: CN201510776429.4申请日: 2015-11-13
-
公开(公告)号: CN105304765B公开(公告)日: 2017-08-29
- 发明人: 田小让 , 侯洪涛 , 赵冠超 , 谷士斌 , 张林 , 杨荣 , 李立伟 , 孟原 , 郭铁
- 申请人: 新奥光伏能源有限公司
- 申请人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/20 ; H01L31/0747
摘要:
本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法,用以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。硅异质结太阳能电池的制作方法包括:对硅片进行去损伤层、制绒和清洗;将完成上述步骤的硅片进行硫化处理;在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层,在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层;在第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极,在第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。
公开/授权文献
- CN105304765A 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 公开/授权日:2016-02-03
IPC分类: