- 专利标题: 一种Se掺杂少层数WS2纳米片/氮、磷共掺杂石墨烯复合纳米材料的制备方法
- 专利标题(英): Se-doped less-layer WS2 nano-sheet/nitrogen and phosphorus co-doped graphene composite nanometer material preparation method
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申请号: CN201510652809.7申请日: 2015-10-10
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公开(公告)号: CN105327708A公开(公告)日: 2016-02-17
- 发明人: 马琳 , 许丽梅 , 徐旭耀 , 周晓平 , 罗金 , 张玲玲
- 申请人: 岭南师范学院
- 申请人地址: 广东省湛江市赤坎区寸金路29号
- 专利权人: 岭南师范学院
- 当前专利权人: 岭南师范学院
- 当前专利权人地址: 广东省湛江市赤坎区寸金路29号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 张月光; 林伟斌
- 主分类号: B01J27/24
- IPC分类号: B01J27/24 ; C25B1/02
摘要:
本发明公开了一种Se掺杂少层数WS2纳米片/氮、磷共掺杂石墨烯复合纳米材料的制备方法。所述方法包括如下步骤:S1.将氧化石墨烯分散在水中,加入季膦盐混匀,再依次加入硫代钨酸铵、硒粉和联氨,混匀;S2.将S1得到的混合分散体系进行水热反应,冷却,离心收集固体产物,洗涤,干燥,再在氮气或氩气气氛中进行热处理,即可制备得到所述Se掺杂少层数WS2纳米片/氮、磷共掺杂石墨烯复合纳米材料。本发明以氧化石墨烯、硫代钨酸铵、硒粉和联氨为原料,通过季膦盐协助的水热方法和随后的热处理方法成功地制备出Se掺杂少层数WS2纳米片/氮、磷共掺杂石墨烯复合纳米材料。本发明方法具有简单、方便和易于扩大工业化应用的优点。
公开/授权文献
- CN105327708B 一种Se掺杂少层数WS2纳米片/氮、磷共掺杂石墨烯复合纳米材料的制备方法 公开/授权日:2017-11-14