本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(drift region)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中，第一P型阱的一底部相距P型基板的一表面具有一第一深度。漂移区形成于高压N型阱中，其中漂移区是自P型基板的表面向下延伸。P型掺杂层形成于P型基板中，P型掺杂层的一底部相距P型基板的表面具有一第二深度，其中第二深度大于第一深度，且P型掺杂层形成于位于第一P型阱和漂移区之下的一区域中。