发明授权
- 专利标题： SiC基板的制造方法
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申请号： CN201480035167.X申请日： 2014-06-17
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公开(公告)号： CN105340066B公开(公告)日： 2018-01-16
- 发明人: 佐佐木有三
- 申请人： 昭和电工株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 刘航; 段承恩
- 优先权： 2013-131717 2013.06.24 JP
- 国际申请： PCT/JP2014/065996 2014.06.17
- 国际公布： WO2014/208400 JA 2014.12.31
- 进入国家日期： 2015-12-18
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; B24B37/08 ; C09G1/02 ; C09K3/14
摘要：
一种SiC基板的制造方法，至少具备CMP工序，所述CMP工序是采用CMP(机械化学研磨)法，对SiC基板(1)所具备的Si面(1a)和C面(1b)这两面，将C面/Si面加工选择比设为3.0以上来实施两面研磨加工的工序。
公开/授权文献
- CN105340066A SiC基板的制造方法 公开/授权日：2016-02-17
IPC分类:
