- 专利标题： 一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法
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申请号： CN201510863881.4申请日： 2015-11-30
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公开(公告)号： CN105347799B公开(公告)日： 2017-08-08
- 发明人: 刘永胜 , 赵志峰 , 张青 , 成来飞
- 申请人： 西北工业大学
- 申请人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 代理机构： 西北工业大学专利中心
- 代理商 王鲜凯
- 主分类号： C04B35/565
- IPC分类号： C04B35/565 ; C04B35/528 ; C04B35/622
摘要：
本发明涉及一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，采用一次成型大粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法，制得Diamond/SiC复合材料。采用该方法提高了复合材料中金刚石的粒径和体积含量，从而有效的提高了复合材料的热导率。使得热导率较之流延结合CVI方法制备的复合材料提高约30％。不仅如此，该方法生产工艺简单、可控，可用于工业化生产。
公开/授权文献
- CN105347799A 一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法 公开/授权日：2016-02-24
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