发明授权
- 专利标题: 纳米转印方法及纳米功能器件
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申请号: CN201510696751.6申请日: 2015-10-23
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公开(公告)号: CN105374467B公开(公告)日: 2017-03-22
- 发明人: 陈林森 , 刘艳花 , 周小红 , 方宗豹 , 王涛 , 杨颖 , 沈悦 , 朱昊枢
- 申请人: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
- 专利权人: 苏州大学,苏州苏大维格光电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 苏州大学,苏州苏大维格科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 常亮
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B5/14 ; B82Y40/00 ; G03F7/00
摘要:
本发明公开了一种纳米转印方法及纳米功能器件,其中,纳米转印方法包括如下步骤:S1.在柔性金属基板上涂布光刻胶;S2.对所述涂布光刻胶的柔性金属基板进行光刻,形成沟槽图形;S3.第一次电铸处理,形成图形电极;S4.第二次电铸处理,形成转印层;S5.通过卷对平转印模式,控制所述柔性金属基板,在相应承接基板上转印形成纳米结构材料层。本发明可在同一基板上实现不同材质的纳米电极或纳米结构功能区的转印,或者在同一基板相同区域实现多层复合结构纳米电极和功能区的转印。其利用金属基底上的图形电极作为转移模具,通过电沉积工艺,在转印模具的电极上形成纳米级材料层,并将模具上纳米级材料层转移到相应的柔性基板表面。
公开/授权文献
- CN105374467A 纳米转印方法及纳米功能器件 公开/授权日:2016-03-02