Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储器装置
-
Application No.: CN201480017098.XApplication Date: 2014-03-11
-
Publication No.: CN105378851BPublication Date: 2018-11-09
- Inventor: 藤田胜之
- Applicant: 东芝存储器株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东芝存储器株式会社
- Current Assignee: 东芝存储器株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 李峥; 刘薇
- Priority: 61/804,548 2013.03.22 US
- International Application: PCT/JP2014/057025 2014.03.11
- International Announcement: WO2014/148404 EN 2014.09.25
- Date entered country: 2015-09-21
- Main IPC: G11C29/00
- IPC: G11C29/00 ; G11C11/15
Abstract:
根据一个实施例，半导体存储器装置包括：被连接到存储器单元阵列的第一字线；被连接到冗余区域的第二字线；被配置成基于行地址执行从第一字线中选择的第一行解码器；被配置成基于包括在行地址中的冗余地址来确定是否需要采用冗余区域的替代操作的判断电路；被配置成执行从第二字线中选择的第二行解码器；行地址包括以分时方法按顺序输入的第一行地址和第二行地址；第一行地址包括所有的冗余地址。
Public/Granted literature
- CN105378851A 半导体存储器装置 Public/Granted day:2016-03-02
Information query
