一种用于探测百草枯分子的PS@SiO2人工抗体的制备方法，其特征在于：所述的人工抗体中洗脱位于SiO2壳层中的印记分子，SiO2壳层的内部形成具有与印记分子结构、大小和功能基互补的空穴结构，其人工抗体具有对目标分析物分子的特异性识别位点，实现对其选择性识别和探测，本发明包括如下两个步骤：首先合成了单分散的、表面携带羧基功能单体的PS微球。然后其表面的羧基与百草枯分子通过静电相互作用，再在其表面包覆一层可控壳厚的SiO2壳层，洗脱百草枯，形成了识别和检测百草枯分子的人工抗体，其纳米壳层厚度可控，壳层的刚性强，比表面积大，形成识别位点的空间结构稳定、有效位点多、选择性好、对目标分子识别效率高。