Invention Publication
- Patent Title: 金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法
- Patent Title (English): Method for producing metal oxide film and method for producing transistor
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Application No.: CN201480042219.6Application Date: 2014-06-18
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Publication No.: CN105408244APublication Date: 2016-03-16
- Inventor: 中积诚 , 西康孝
- Applicant: 株式会社尼康
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社尼康
- Current Assignee: 株式会社尼康
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 庞东成; 褚瑶杨
- Priority: 2013-164248 2013.08.07 JP
- International Application: PCT/JP2014/066130 2014.06.18
- International Announcement: WO2015/019717 JA 2015.02.12
- Date entered country: 2016-01-26
- Main IPC: C01B13/32
- IPC: C01B13/32 ; C01F7/30 ; C01G9/02 ; H01L21/283 ; H01L21/288 ; H01L21/316 ; H01L21/768 ; H01L23/532
Abstract:
本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。
Public/Granted literature
- CN105408244B 金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法 Public/Granted day:2019-04-12
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