发明授权
- 专利标题: 一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用
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申请号: CN201410464412.0申请日: 2014-09-12
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公开(公告)号: CN105418926B公开(公告)日: 2018-07-13
- 发明人: 王万军 , 袁京 , 杜丽萍 , 黄祚刚 , 姜标
- 申请人: 中国科学院上海高等研究院
- 申请人地址: 上海市浦东新区海科路99号
- 专利权人: 中国科学院上海高等研究院
- 当前专利权人: 中国科学院上海高等研究院
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区海科路99号
- 代理机构: 上海硕力知识产权代理事务所
- 代理商 王法男
- 主分类号: C08G77/24
- IPC分类号: C08G77/24 ; C09D183/08
摘要:
本发明公开了一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用。本发明以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料,通过缩合反应制得溶胶;将所得溶胶溶液旋涂于硅片上,然后加热使其固化成膜,获得含氟萘乙基硅树脂;还可通过对膜进行退火处理,以进一步改善含氟萘乙基硅树脂的电学特性。可通过改变含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷的比例来改变含氟萘乙基硅树脂的综合性能,使其符合人们对低介电常数材料的不同需求。本发明中含氟萘乙基硅树脂的介电常数可以达到2.0~2.5,因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该含氟萘乙基硅树脂的制备方法简单,有利于工业化生产。
公开/授权文献
- CN105418926A 一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用 公开/授权日:2016-03-23