发明授权
- 专利标题: 鳍式场效应管及其形成方法
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申请号: CN201410356785.6申请日: 2014-07-24
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公开(公告)号: CN105428413B公开(公告)日: 2019-01-22
- 发明人: 肖德元
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 高静; 骆苏华
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要:
本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成绝缘层、牺牲层;在绝缘层和牺牲层中形成多个开口;在衬底中形成沟槽;在沟槽以及开口中形成鳍;去除剩余的牺牲层使鳍凸出于绝缘层的表面;形成栅极;形成源区和漏区。本发明还提供一种鳍式场效应管,包括:衬底,衬底中具有多个沟槽;形成于沟槽中且凸出于衬底表面的多个鳍,凸出于衬底的鳍截面呈倒梯形;位于鳍之间衬底上的绝缘层,绝缘层的上表面低于鳍的上表面;横跨至少一个鳍且覆盖鳍的侧壁与顶部的栅极;源区和漏区。本发明的有益效果在于:提高了整个鳍式场效应管的性能、提高形成的鳍的精度,并避免了可能发生的隔离材料填充不到位的问题。
公开/授权文献
- CN105428413A 鳍式场效应管及其形成方法 公开/授权日:2016-03-23
IPC分类: