- 专利标题： 具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法
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申请号： CN201510899915.5申请日： 2015-12-08
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公开(公告)号： CN105428456B公开(公告)日： 2017-02-01
- 发明人: 张无迪 , 高鹏 , 薛超 , 刘丽蕊 , 石璘 , 姜明序
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 申请人地址： 天津市西青区海泰工业园华科七路6号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人地址： 天津市西青区海泰工业园华科七路6号
- 代理机构： 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理商 李凤
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0352 ; H01L31/0687 ; H01L31/0693 ; H01L31/0216
摘要：
本发明公开了一种具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法，采用金属有机化学气相沉积法MOCVD，外延制备含有AlAs/GaAs的Bragg反射器、InGaAs量子阱的InGaAs/InGaAs双结激光电池，并包含氧化铝、氧化钛的双层减反射膜系。更大限度地实现了激光电池在响应光谱内的转换效率。
公开/授权文献
- CN105428456A 具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法 公开/授权日：2016-03-23
IPC分类:
