发明公开
- 专利标题: 一种双通道超导连接及其制备方法
- 专利标题(英): Double-channel superconductive connection and preparation method therefor
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申请号: CN201510750190.3申请日: 2015-11-06
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公开(公告)号: CN105428517A公开(公告)日: 2016-03-23
- 发明人: 应利良 , 熊伟 , 王会武 , 张国峰 , 王镇
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号: H01L39/24
- IPC分类号: H01L39/24 ; H01L39/02 ; H01L39/06 ; H01L23/532 ; H01L21/768
摘要:
本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法,包括:于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层;刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层,露出第一超导材料层;刻蚀第一、第二超导材料层,形成双通道超导连接和约瑟夫森结;于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层;形成旁路电阻;沉积第三超导材料层,并形成配线。双通道超导连接包括:并联的第一、第二通道,第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极;所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图,在制备层间超导通道时,并联一个纯的超导连接通道,克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应,提高了超导电路器件的性能及其稳定性。
公开/授权文献
- CN105428517B 一种双通道超导连接及其制备方法 公开/授权日:2018-05-25
IPC分类: