Invention Grant
- Patent Title: 场发射阴极的制备方法
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Application No.: CN201410327704.XApplication Date: 2014-07-10
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Publication No.: CN105448624BPublication Date: 2017-09-01
- Inventor: 杜秉初 , 柳鹏 , 周段亮 , 张春海 , 范守善
- Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室;
- Assignee: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- Current Assignee: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室;
- Main IPC: H01J9/02
- IPC: H01J9/02
Abstract:
一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
Public/Granted literature
- CN105448624A 场发射阴极的制备方法 Public/Granted day:2016-03-30
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