本发明公开了一种SiC MOSFET三电平逆变电路损耗计算方法，根据T型三电平电路拓扑建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型；根据建立开关管导通损耗计算模型和开关管开关损耗计算模型，建立单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗计算模型；将单相4个SiC MOSFET和二极管的损耗相加，之和乘以三，即得到SiC MOSFET三电平逆变电路损耗。该方法根据已知所使用的SiC MOSFET器件在额定状态下的特性参数，可以快速估算各种条件下的功率损耗，该方法的计算结果精确，计算速度快，能够满足工程需要。