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发明授权
CN105453229B 具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法 有权

具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有间隔开的第二导电类型的第一区域和第二区域，在所述第一区域和所述第二区域之间形成沟道区。选择栅极与所述沟道区的第一部分绝缘并且设置在所述第一部分上面，所述第一部分与所述第一区域相邻。浮动栅极与所述沟道区的第二部分绝缘并且设置在所述第二部分上面，所述第二部分与所述第二区域相邻。金属材料与所浮动栅极接触地形成。控制栅极与所述浮动栅极绝缘并且设置在其上面。擦除栅极包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二区域绝缘并且设置在其上面，而且与所述浮动栅极绝缘并且与其横向相邻设置；所述第二部分与所述控制栅极绝缘并且与其横向相邻，而且部分地在所述浮动栅极上面延伸并且与其纵向重叠。
摘要（英）：

A non-volatile memory cell includes a substrate of a first conductivity type with first and second spaced apart regions of a second conductivity type, forming a channel region therebetween. A select gate is insulated from and disposed over a first portion of the channel region which is adjacent to the first region. A floating gate is insulated from and disposed over a second portion of the channel region which is adjacent the second region. Metal material is formed in contact with the floating gate. A control gate is insulated from and disposed over the floating gate. An erase gate includes a first portion insulated from and disposed over the second region and is insulated from and disposed laterally adjacent to the floating gate, and a second portion insulated from and laterally adjacent to the control gate and partially extends over and vertically overlaps the floating gate.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
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