本发明涉及一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法，以2,4,6‑三氨基嘧啶(TAP)为支化中心，采用一步法合成了一系列具有超支化结构的低介电PI薄膜。超支化结构的引入，显著降低了PI薄膜的介电常数，同时较好的保持了PI固有的优势，赋予了薄膜良好的力学强度和热氧稳定性。超支化结构中包含大量分子链末端基，有效抑制了分子链的密实堆砌，从而使超支化PI薄膜具有优异的溶解特性，更易于被加工成复杂器件。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比，在同等测试条件下本发明法制备的超支化PI薄膜的介电常数降低了20％～40％，最低介电常数甚至接近2.0，达到超低介电常数的水平，能够满足未来微电子行业发展的迫切需求。