一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法
Abstract:
一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;然后配制碱性电解液,主要原料为KOH或NaOH碱金属,其浓度为5‑300g/L;辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种,添加浓度为1‑20g/L;将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中;将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应1‑96小时,使得金属镍表面发生氧化反应;最后,将水热后的电极取出、清洗干净并干燥,即可获得基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极。该制备方法工艺简单,原材料廉价,易于操作,生产价格低,所制备的薄膜材料厚度可控,活性高,适合工业化大生产。
Patent Agency Ranking
0/0