Invention Grant
CN105469901B 一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法
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Application No.: CN201510810004.0Application Date: 2015-11-20
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Publication No.: CN105469901BPublication Date: 2017-08-04
- Inventor: 樊玉欠 , 侯爵 , 梁丹阳 , 王慧娟 , 余文婷 , 郭壮 , 闫帅 , 李甄 , 马志鹏 , 刘宇 , 邵光杰
- Applicant: 燕山大学
- Applicant Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Assignee: 燕山大学
- Current Assignee: 燕山大学
- Current Assignee Address: 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
- Agency: 秦皇岛一诚知识产权事务所
- Agent 续京沙
- Main IPC: H01B13/00
- IPC: H01B13/00
Abstract:
一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;然后配制碱性电解液,主要原料为KOH或NaOH碱金属,其浓度为5‑300g/L;辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种,添加浓度为1‑20g/L;将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中;将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应1‑96小时,使得金属镍表面发生氧化反应;最后,将水热后的电极取出、清洗干净并干燥,即可获得基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极。该制备方法工艺简单,原材料廉价,易于操作,生产价格低,所制备的薄膜材料厚度可控,活性高,适合工业化大生产。
Public/Granted literature
- CN105469901A 一种基于原位生长制备氢氧化镍-氧化镍薄膜电极的方法 Public/Granted day:2016-04-06
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