Invention Grant
- Patent Title: 一种R‑T‑B永磁体的制备方法
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Application No.: CN201410800303.1Application Date: 2014-12-19
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Publication No.: CN105469973BPublication Date: 2017-07-18
- Inventor: 陈国安 , 赵玉刚 , 张瑾 , 钮萼 , 王浩颉 , 叶选涨
- Applicant: 北京中科三环高技术股份有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区北京中关村东路66号甲1号长城大厦27层
- Assignee: 北京中科三环高技术股份有限公司
- Current Assignee: 北京中科三环高技术股份有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区北京中关村东路66号甲1号长城大厦27层
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 李茂家
- Main IPC: H01F41/02
- IPC: H01F41/02 ; H01F1/057 ; H01F1/08 ; B22F9/04 ; B22F3/16
Abstract:
本发明提供一种R‑T‑B永磁体的制备方法,所述制备方法的主要步骤是:1)原材料经过熔化,浇铸,得到条带片;2)将条带片进行氢爆处理,得到中碎粉;3)将中碎粉进行气流磨制粉;4)在密封垂直压机中进行压制成型;5)在真空或惰性气体气氛中实施预烧结;6)将预烧坯机加工成所需的形状;7)涂覆处理:将重稀土化合物粉末分散于有机溶剂中形成浆液,将预烧坯浸渍于浆液中,然后将处理后的预烧坯放入料盒中;8)在820‑950℃进行二次烧结并同时进行重稀土元素的一次扩散,冷却后,在450‑620℃温度范围内进行重稀土元素的二次扩散,冷却得到R‑T‑B永磁体。根据该制备方法制备得到的永磁体,剩磁、矫顽力得到了显著提高,方形度得到了明显改善。
Public/Granted literature
- CN105469973A 一种R-T-B永磁体的制备方法 Public/Granted day:2016-04-06
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