- 专利标题: 用于高温低压力环境的细长的容性耦合的等离子体源
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申请号: CN201480045378.1申请日: 2014-08-15
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公开(公告)号: CN105474362B公开(公告)日: 2018-05-25
- 发明人: J·C·福斯特 , J·约德伏斯基 , G·K·邝 , T·T·恩戈 , K·格里芬 , K·S·柯林斯 , 柳韧
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 黄嵩泉
- 优先权: 61/867,020 2013.08.16 US
- 国际申请: PCT/US2014/051274 2014.08.15
- 国际公布: WO2015/023945 EN 2015.02.19
- 进入国家日期: 2016-02-15
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205 ; H01L21/02
摘要:
描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件,所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极,使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时,同轴RF馈送线处于大气压力下。
公开/授权文献
- CN105474362A 用于高温低压力环境的细长的容性耦合的等离子体源 公开/授权日:2016-04-06
IPC分类: