- 专利标题: 基于存储空间复用提高SDRAM总线有效访问速率的方法
- 专利标题(英): Storage space multiplexing based method for increasing effective access rate of SDRAM bus
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申请号: CN201510874934.2申请日: 2015-12-03
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公开(公告)号: CN105487988A公开(公告)日: 2016-04-13
- 发明人: 李念军 , 范富明 , 肖杉
- 申请人: 武汉烽火网络有限责任公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖高新东信路5号关东光通信产业大楼武汉烽火网络有限责任公司
- 专利权人: 武汉烽火网络有限责任公司
- 当前专利权人: 烽火通信科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖高新东信路5号关东光通信产业大楼武汉烽火网络有限责任公司
- 代理机构: 北京捷诚信通专利事务所
- 代理商 王卫东
- 主分类号: G06F13/16
- IPC分类号: G06F13/16 ; G06F3/06
摘要:
本发明公开了一种基于存储空间复用提高SDRAM总线有效访问速率的方法,包括以下步骤:将4片位宽为8比特的SDRAM芯片分成两个组Group0和Group1,每组2片SDRAM芯片共用一个片选信号,内存访问命令利用不同的片选信号在时序上对Group0和Group1交替进行;将SDRAM中的表项在物理Bank上存储为4份镜像,且所述4份镜像分别处在不同的物理Bank内,对用户虚拟出4个逻辑Bank;对逻辑Bank进行仲裁选择,将用户的内存访问请求按照时序分发到不同的物理Bank上,实现多个物理Bank之间的轮转访问。本发明,基于Bank镜像和Bank仲裁相结合,通过对总线分组复用,对用户隐藏了每次SDRAM访问间消耗的激活时间和预充电时间,使得SDRAM同一Bank的访问速率由约20Mpps提高到65Mpps,满足了当前网络设备40G平台60Mpps的访问速率要求。
公开/授权文献
- CN105487988B 基于存储空间复用提高SDRAM总线有效访问速率的方法 公开/授权日:2019-05-14