用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法

发明授权

CN105489699B 用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法失效 - 权利终止

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专利标题： 用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法
申请号： CN201510871286.5

申请日： 2015-12-02
公开(公告)号： CN105489699B

公开(公告)日： 2017-06-23
发明人: 金晶 , 刘灿 , 瞿兴灵 , 姜超超 , 史伟民
申请人： 上海大学
申请人地址： 上海市宝山区上大路99号
专利权人： 上海大学
当前专利权人： 上海大学
当前专利权人地址： 上海市宝山区上大路99号
代理机构： 上海上大专利事务所
代理商 顾勇华
主分类号： H01L31/18
IPC分类号： H01L31/18

摘要：

本发明公开了一种用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法，用于太阳能电池电极制备技术领域。它利用物理射频磁控溅射法和直流磁控溅射法分别制备AZO层和Ag层，并通过控制快速热处理条件来形成不同大小和尺寸的具有椭圆形状的Ag纳米颗粒。本发明获得了一种具有非球形Ag纳米颗粒的薄膜层的太阳能电池前电极，其中Ag纳米颗粒等离子体在长波靠近红外方向的共振吸收方面有较大潜力，这对应用于硅基太阳能电池上是有利的。

公开/授权文献

CN105489699A 用于太阳能薄膜电池前电极的AZO/Ag/AZO复合膜的制备方法公开/授权日：2016-04-13

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/18	.专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备