- 专利标题: 透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备
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申请号: CN201480051607.0申请日: 2014-09-12
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公开(公告)号: CN105556672B公开(公告)日: 2019-11-12
- 发明人: 大塚洋一 , 西木户健树 , 葭叶一平
- 申请人: 索尼公司
- 申请人地址: 日本国东京都港区港南1-7-1
- 专利权人: 索尼公司
- 当前专利权人: 索尼公司
- 当前专利权人地址: 日本国东京都港区港南1-7-1
- 代理机构: 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 付生辉; 张雪梅
- 优先权: 2013-197861 2013.09.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/074244 2014.09.12
- 国际公布: WO2015/045914 JA 2015.04.02
- 进入国家日期: 2016-03-18
- 主分类号: H01L27/14
- IPC分类号: H01L27/14 ; G02B3/00 ; H04N5/369
摘要:
本技术涉及可在抑制图像质量劣化的同时提高AF性能的透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备。一种透镜阵列包括微透镜,所述微透镜对应于相位差检测像素形成,所述相位差检测像素被设置成混在成像像素中。所述微透镜中的每个被形成为使得其透镜面是基本上球形面,所述微透镜在平面图上具有矩形形状并且四个拐角基本上没有被倒圆,以及在剖视图上包括像素边界部分的对边中心部分的对边边界部分附近的底表面比包括对角边界部分的对角边界部分附近的底表面高。例如,本技术可应用于CMOS图像传感器的透镜阵列。
公开/授权文献
- CN105556672A 透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备 公开/授权日:2016-05-04