- 专利标题: 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用
- 专利标题(英): Preparation method of praseodymium doped potassium-sodium niobate film and application thereof
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申请号: CN201511029173.7申请日: 2015-12-30
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公开(公告)号: CN105568219A公开(公告)日: 2016-05-11
- 发明人: 孙晔 , 王邵琛 , 唐巍 , 于淼 , 杜宝盛 , 杨彬 , 曹文武
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 侯静
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06 ; G01L1/24
摘要:
一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用,涉及一种铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用。本发明是要解决现有光学式应力传感技术基于监测样品形状的改变而灵敏度有待提高的问题,提出利用镨离子的发光特性监测应力的新方法。方法:一、镨掺杂铌酸钾钠靶材的制备;二、镨掺杂铌酸钾钠薄膜的气相法制备。本发明是要通过监测应力引起的材料发光特性的改变实现应力的高灵敏度传感,解决现有光学式应力传感技术灵敏度低的问题。本发明提出的薄膜沉积方法操作简单,可在不同种类衬底上实现镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备,利于规模化生产。本发明用于制备镨掺杂铌酸钾钠薄膜。
公开/授权文献
- CN105568219B 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用 公开/授权日:2018-07-03
IPC分类: