本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括半导体衬底，位于所述半导体衬底上的器件，形成于所述半导体衬底上覆盖所述器件的层间介电层，以及贯穿所述层间介电层和部分所述半导体衬底的通孔；在所述通孔内以及所述层间介电层的表面上形成金属层；执行第一平坦化步骤，以去除位于所述层间介电层表面上的部分金属层；进行退火合金化处理；执行第二平坦化步骤，以完全去除位于所述层间介电层表面上的金属层。根据本发明的制作方法，能够使晶圆的应力缓慢释放，可以有效防止硅通孔中裂缝的产生，从而减少TSV漏电问题，进而提高器件的可靠性和良率。