发明授权
- 专利标题： 一种双面生长的InP五结太阳电池
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申请号： CN201510956796.2申请日： 2015-12-17
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公开(公告)号： CN105576068B公开(公告)日： 2017-03-22
- 发明人: 张恒 , 孙强 , 刘如彬 , 张启明 , 唐悦
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 申请人地址： 天津市西青区海泰工业园华科七路6号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人地址： 天津市西青区海泰工业园华科七路6号
- 代理机构： 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理商 李凤
- 主分类号： H01L31/0735
- IPC分类号： H01L31/0735 ; H01L31/0725
摘要：
本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(AlxGa1-x)yIn1-yP子电池，AlzGa1-zAs子电池，GamIn1-mP组分渐变缓冲层，InP子电池窗口层和InP子电池发射区层，InP衬底下表面设置有InP子电池背场层，GaInAsP子电池和GaInAs子电池。(AlxGa1-x)yIn1-yP子电池和AlzGa1-zAs子电池通过第四隧道结连接，GamIn1-mP组分渐变缓冲层和InP子电池窗口层通过第三隧道结连接，InP子电池背场层和GaInAsP子电池通过第二隧道结连接，GaInAsP子电池和GaInAs子电池通过第一隧道结连接。
公开/授权文献
- CN105576068A 一种双面生长的InP五结太阳电池 公开/授权日：2016-05-11
IPC分类:
