发明授权
CN105580152B 光电转换元件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 光电转换元件及其制造方法
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申请号: CN201380079801.5申请日: 2013-09-27
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公开(公告)号: CN105580152B公开(公告)日: 2017-12-22
- 发明人: 百濑悟 , 吉川浩太 , 土井修一
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 苗堃; 金世煜
- 国际申请: PCT/JP2013/076368 2013.09.27
- 国际公布: WO2015/045123 JA 2015.04.02
- 进入国家日期: 2016-03-24
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42
摘要:
涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚‑[N‑9'‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑(4',7'‑二‑2‑噻吩基2',1',3'‑苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液,使其干燥,暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中,由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。
公开/授权文献
- CN105580152A 光电转换元件及其制造方法 公开/授权日:2016-05-11
IPC分类: