Invention Grant
CN105593964B 用于改善Cmax 的曲面RF电极
失效 - 权利终止
-
Patent Title:
用于改善C
-
Application No.: CN201480054306.3Application Date: 2014-09-24
-
Publication No.: CN105593964BPublication Date: 2017-08-25
- Inventor: 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
- Applicant: 卡文迪什动力有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 卡文迪什动力有限公司
- Current Assignee: 卡文迪什动力有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京柏杉松知识产权代理事务所
- Agent 谢攀; 刘继富
- Priority: 61/885,678 20131002 US
- International Application: PCT/US2014/057220 2014.09.24
- International Announcement: WO2015/050761 EN 2015.04.09
- Date entered country: 2016-03-31
- Main IPC: H01H59/00
- IPC: H01H59/00 ; H01G5/16
Abstract:
本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
Public/Granted literature
- CN105593964A 用于改善CMAX的曲面RF电极 Public/Granted day:2016-05-18
Information query
