发明公开
CN105603400A ZnO透明导电薄膜的制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: ZnO透明导电薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of ZnO transparent conductive film
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申请号: CN201610040004.1申请日: 2016-01-21
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公开(公告)号: CN105603400A公开(公告)日: 2016-05-25
- 发明人: 李楠 , 李旦 , 水玲玲 , 金名亮 , 周国富
- 申请人: 深圳市国华光电科技有限公司 , 深圳市国华光电研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市龙华新区观澜大布巷社区观光路1301-1号7楼703-1
- 专利权人: 深圳市国华光电科技有限公司,深圳市国华光电研究院
- 当前专利权人: 深圳市国华光电科技有限公司,深圳市国华光电研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙华新区观澜大布巷社区观光路1301-1号7楼703-1
- 代理机构: 深圳市壹品专利代理事务所
- 代理商 邓荣; 徐文军
- 主分类号: C23C20/08
- IPC分类号: C23C20/08
摘要:
本发明涉及透明导电薄膜的技术领域,公开了ZnO透明导电薄膜的制备方法,包括以下制备步骤:a)、以Zn(Ac)2·2H2O,Al(NO3)3·9H2O,FeCl3·6H2O为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,乙醇胺为稳定剂,配置溶胶;b)、对玻璃基底进行清洗;c)、采用旋涂法在玻璃基底上旋涂成膜;放置在150℃~250℃的烘箱中热处理9min~11min,自然冷却到室温,再重复多次旋涂溶胶成膜;d)、将步骤c)制得的薄膜进行热处理,得到ZnO透明导电薄膜。ZnO透明导电薄膜的制备方法采用溶胶凝胶法合成ZnO透明导电薄膜,具有操作简单、经济便捷以及实现大规模化生产等优点,且制得的ZnO透明导电薄膜均匀。
IPC分类: