Invention Grant
- Patent Title: 压力传感器的封装结构及其制造方法
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Application No.: CN201511008036.5Application Date: 2015-12-24
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Publication No.: CN105609472BPublication Date: 2018-02-23
- Inventor: 尤文胜
- Applicant: 合肥祖安投资合伙企业(有限合伙)
- Applicant Address: 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期H2栋190室
- Assignee: 合肥祖安投资合伙企业(有限合伙)
- Current Assignee: 合肥矽迈微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期H2栋190室
- Main IPC: H01L23/31
- IPC: H01L23/31 ; H01L23/043
Abstract:
本发明公开了一种压力传感器的封装结构及其制造方法。压力传感器的封装结构,包括,压力传感器,包括感测外部压力的压敏结构和将感测到的压力信息转换成电信号的向外引出的电极;压敏结构和电极位于压力传感器的第一表面;绝缘层,其第一表面与压力传感器的第二表面相接触;与电极相互连接的金属凸块;呈构成的立方体结构的封装腔体;沿侧壁面板的垂直方向布设并且延伸至所述底部面板的图案化的导电层;金属引线通过相应的第二开孔连接至相应的所述金属凸块,并通过封装腔体的顶部表面裸露;压力传感器的第一表面上的压敏结构通过所述第一开孔裸露。
Public/Granted literature
- CN105609472A 压力传感器的封装结构及其制造方法 Public/Granted day:2016-05-25
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IPC分类: