发明授权
- 专利标题： 高电子迁移率晶体管及其制造方法
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申请号： CN201511031698.4申请日： 2015-12-31
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公开(公告)号： CN105609552B公开(公告)日： 2017-11-10
- 发明人: 丁庆 , 吴光胜 , 黄永江 , 李晓丛 , 陈家诚 , 姚建可
- 申请人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
- 申请人地址： 广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区37栋2楼东
- 专利权人： 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司,深圳市太赫兹科技创新研究院
- 当前专利权人： 青岛君戎华讯太赫兹科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区37栋2楼东
- 代理机构： 北京律和信知识产权代理事务所
- 代理商 武玉琴; 刘国伟
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/10 ; H01L21/335
摘要：
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底，形成于衬底上的氮化镓缓冲层、形成于氮化镓缓冲层上的AlxGa(1‑x)N势垒层、分别形成于AlxGa(1‑x)N势垒层上的栅极、源极及漏极，以及钝化层。在AlxGa(1‑x)N势垒层中，横向方向Al组分不同，从栅极端到漏极端Al组分逐渐减小。相对于现有技术，本发明的高电子迁移率晶体管具有横向Al组分不同的AlxGa(1‑x)N势垒层，在栅极边缘靠近漏极端的AlxGa(1‑x)N势垒层具有不同组分的特性。从栅极端到漏极端铝组分逐渐减小，从而能够减小电流崩塌效应。并且提高开启电压。本发明还提供了一种高电子迁移率晶体管的制造方法。
公开/授权文献
- CN105609552A 高电子迁移率晶体管及其制造方法 公开/授权日：2016-05-25